Sainmhíniú ar Trasraitheoir Dépholach Geata Inslithe

Is gléas leathsheoltóra ilchodach cumhachta ilchodach, voltas-tiomáinte é Trasraitheoir Geata Inslithe (IGBT) a chomhcheanglaíonn na buntáistí a bhaineann le MOSFET (Miotal-Ocsaíd-Réimse Leathsheoltóra-Transistor Éifeachtach) agus BJT (Transistor Acomhal Bipolar).

 

Croíphointí Sainithe
Comhdhéanamh Struchtúr: Comhcheanglaíonn sé an bacainn ard ionchuir agus na saintréithe atá faoi thiomáint ag an voltas MOSFET leis an titim íseal sa voltas seolta agus cumas iompair ardsrutha BJT.

 

Prionsabal Oibre: Trí voltas a chur i bhfeidhm ar an ngeata chun foirmiú cainéal a rialú, cuireann sé bunsruth ar fáil don trasraitheoir PNP, ag baint amach cas-air nó cas-as.

 

Struchtúr Teirminéil: Tá trí leictreoid - Gate (G), Bailitheoir (C), agus Emitter (E).

 

Buntáistí Príomha
Impedance ionchuir ard (cosúil le MOSFET, cumhacht tiomána íseal)

Titim voltas seolta íseal (cosúil le BJT, caillteanas seoltachta íseal)

Oiriúnach d'fheidhmchláir ardvoltais, ardsrutha, agus -minicíochta mheán go hard